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08/06
2025
7月31日，“維科杯·OFweek2025激光行業年度評選”在深圳舉辦，j9國際站備用60kW 808nm高效率高亮度宏通道半導體激光器疊陣模組榮獲最佳半導體激光器技術創新獎！
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激光核聚變是能夠解決能源問題的一項非常有應用前景的技術，一直以來都是各國重點投入研發的項目，而激光核聚變的核心元器件釹玻璃激光器對泵浦源的功率、光束質量、穩定性、成本等都提出了很高要求，j9國際站備用關注到這一市場需求，研發了60kW 808nm高效率高亮度宏通道半導體激光器疊陣模組，并已參與國內外激光核聚變相關項目。
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本次獲獎的60kW 808nm高效率高亮度宏通道半導體激光器疊陣模組產品從芯片設計、外延生長、巴條封裝、光學整形都采用了最先進的技術，在準連續模式下單巴條輸出500W功率，產品總功率高達60kW，出光面尺寸僅為153.5mm?10mm，電光效率高達70%，不僅在指標上達到國際領先水平，也有力推動了激光核聚變應用的發展。
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01.?采用高電光效率外延結構設計、高填充因子的巴條結構設計和高效散熱封裝技術，電光效率高達70%；
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02.?采用條紋鏡合束技術，消除了74%暗區，實現在153.5mm的尺寸內堆疊120個巴條，功率密度提高了99%；
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03.?模塊化的設計使該產品作為單元模組可以進行更多數量的空間疊加組合，方便客戶應用，也降低了維護成本
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j9國際站備用致力于研發和生產半導體激光芯片，核心技術覆蓋半導體激光行業最核心的領域，攻克了一直飽受桎梏的外延生長、腔面處理、封裝和光纖耦合等技術難題，建成了完全自主可控的IDM工藝平臺和量產線，是全球少數幾家具備6吋線外延、晶圓制造等關鍵制程生產能力的IDM半導體激光器企業之一。
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?2吋、3吋、6吋三大量產線；
?邊發射EEL、面發射VCSEL兩大產品結構；
?GaAs（砷化鎵）、InP（磷化銦）、GaN（氮化鎵）、SiC（碳化硅）、SiPho（硅光）五大材料體系；
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公司秉持“一平臺，一支點，橫向擴展，縱向延伸”發展戰略，以半導體激光芯片為核心競爭力，橫向擴展覆蓋可見光、近紅外、中紅外到長波，縱向延伸“N+1”板塊，推動光子技術賦能工業激光器、傳感器、光通訊、激光顯示與照明、激光醫美等產業。中國激光芯，光耀美好生活！
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